casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RJK1575DPA-00#J5A
codice articolo del costruttore | RJK1575DPA-00#J5A |
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Numero di parte futuro | FT-RJK1575DPA-00#J5A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RJK1575DPA-00#J5A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 12.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 65W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | WPAK(3F) (5x6) |
Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RJK1575DPA-00#J5A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RJK1575DPA-00#J5A-FT |
RJK1056DPB-00#J5
Renesas Electronics America
HAT1072H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2096H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2099H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2116H-EL-E
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HAT2140H-EL-E
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HAT2143H-EL-E
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HAT2160H-EL-E
Renesas Electronics America
HAT2164H-EL-E
Renesas Electronics America
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel