casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / NP89N055MUK-S18-AY
codice articolo del costruttore | NP89N055MUK-S18-AY |
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Numero di parte futuro | FT-NP89N055MUK-S18-AY |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NP89N055MUK-S18-AY Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 147W (Tc) |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP89N055MUK-S18-AY Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NP89N055MUK-S18-AY-FT |
RCD100N20TL
Rohm Semiconductor
RDD020N60TL
Rohm Semiconductor
RDD022N50TL
Rohm Semiconductor
RDD022N60TL
Rohm Semiconductor
RDD023N50TL
Rohm Semiconductor
RDD050N20TL
Rohm Semiconductor
RK3055ETL
Rohm Semiconductor
RSD046P05TL
Rohm Semiconductor
RSD050N06TL
Rohm Semiconductor
RSD050N10TL
Rohm Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel