casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HAT2168H-EL-E
codice articolo del costruttore | HAT2168H-EL-E |
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Numero di parte futuro | FT-HAT2168H-EL-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HAT2168H-EL-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1730pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 15W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HAT2168H-EL-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HAT2168H-EL-E-FT |
RSD050N06TL
Rohm Semiconductor
RSD050N10TL
Rohm Semiconductor
RSD080N06TL
Rohm Semiconductor
RSD080P05TL
Rohm Semiconductor
RSD100N10TL
Rohm Semiconductor
RSD130P10TL
Rohm Semiconductor
RSD131P10TL
Rohm Semiconductor
RSD140P06TL
Rohm Semiconductor
RSD150N06TL
Rohm Semiconductor
RSD175N10TL
Rohm Semiconductor
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel