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Renesas Electronics America RJK1002DPN-E0#T2

Name: RJK1002DPN-E0#T2
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK1002DPN-E0#T2
Availability: InStock
Rating: 5.0 (69 reviews)

Numero parte MFG: RJK1002DPN-E0#T2

quantità disponibile: 70980 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Renesas Electronics America

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 100V 70A TO220

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RJK1002DPN-E0#T2.pdf

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RJK1002DPN-E0#T2 specificazioni

codice articolo del costruttore	RJK1002DPN-E0#T2
Numero di parte futuro	FT-RJK1002DPN-E0#T2
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RJK1002DPN-E0#T2 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	70A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.6 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	94nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6450pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK1002DPN-E0#T2 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RJK1002DPN-E0#T2-FT

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