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ON Semiconductor RFD3055LESM9A

Name: RFD3055LESM9A
Brand: ON Semiconductor
SKU: RFD3055LESM9A
Price: 0.218928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (459 reviews)

Numero parte MFG: RFD3055LESM9A

quantità disponibile: 69420 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.218928

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: RFD3055LESM9A.pdf

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RFD3055LESM9A specificazioni

codice articolo del costruttore	RFD3055LESM9A
Numero di parte futuro	FT-RFD3055LESM9A
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
RFD3055LESM9A Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	107 mOhm @ 8A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.3nC @ 10V
Vgs (massimo)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	38W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252AA
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RFD3055LESM9A Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	RFD3055LESM9A-FT

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