codice articolo del costruttore | FDD8778 |
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Numero di parte futuro | FT-FDD8778 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDD8778 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 845pF @ 13V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 39W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD8778 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDD8778-FT |
ZVN4206AVSTOA
Diodes Incorporated
ZVN4206AVSTOB
Diodes Incorporated
ZVN4210ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN4210ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN4306ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN4306ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN4306ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN4306AVSTOA
Diodes Incorporated
ZVN4306AVSTOB
Diodes Incorporated
ZVN4306AVSTZ
Diodes Incorporated
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel