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ON Semiconductor FDD10AN06A0-F085

Name: FDD10AN06A0-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDD10AN06A0-F085
Price: 0.59444 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (325 reviews)

Numero parte MFG: FDD10AN06A0-F085

quantità disponibile: 75270 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.59444

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fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FDD10AN06A0-F085.pdf

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FDD10AN06A0-F085 specificazioni

codice articolo del costruttore	FDD10AN06A0-F085
Numero di parte futuro	FT-FDD10AN06A0-F085
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FDD10AN06A0-F085 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1840pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	135W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252AA
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD10AN06A0-F085 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FDD10AN06A0-F085-FT

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