codice articolo del costruttore | FDD3706 |
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Numero di parte futuro | FT-FDD3706 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDD3706 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14.7A (Ta), 50A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 16.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1882pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 44W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-PAK (TO-252AA) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD3706 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FDD3706-FT |
ZVN4210ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN4210ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN4306ASTOA
Diodes Incorporated
ZVN4306ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN4306ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN4306AVSTOA
Diodes Incorporated
ZVN4306AVSTOB
Diodes Incorporated
ZVN4306AVSTZ
Diodes Incorporated
ZVN4310ASTOB
Diodes Incorporated
ZVN4310ASTZ
Diodes Incorporated
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel