casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / RF2001NS2DTL
codice articolo del costruttore | RF2001NS2DTL |
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Numero di parte futuro | FT-RF2001NS2DTL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RF2001NS2DTL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RF2001NS2DTL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RF2001NS2DTL-FT |
IMN10T108
Rohm Semiconductor
HN2D03F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T1G
ON Semiconductor
RB731UT108
Rohm Semiconductor
BAS21VD,165
Nexperia USA Inc.
HN1D01F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D02F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1D03FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
NSVBAS21TMR6T2G
ON Semiconductor
XC2V4000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE6F17C8L
Intel
XC6VLX550T-1FFG1759I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19I7N
Intel
5CEFA7U19C8N
Intel
EPF10K100EBC356-2N
Intel
EP1S80F1020C5N
Intel
EP20K1500EFC33-3
Intel