casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / RCD051N20TL
codice articolo del costruttore | RCD051N20TL |
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Numero di parte futuro | FT-RCD051N20TL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RCD051N20TL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 760 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.25V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 850mW (Ta), 20W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | CPT3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RCD051N20TL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RCD051N20TL-FT |
ES6U2T2R
Rohm Semiconductor
ES6U3T2CR
Rohm Semiconductor
ES6U41T2R
Rohm Semiconductor
ES6U42T2R
Rohm Semiconductor
RW1A013ZPT2R
Rohm Semiconductor
RW1A020ZPT2R
Rohm Semiconductor
RW1A025APT2CR
Rohm Semiconductor
RW1C015UNT2R
Rohm Semiconductor
RW1C020UNT2R
Rohm Semiconductor
RW1C025ZPT2CR
Rohm Semiconductor
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel