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Rohm Semiconductor RW1A020ZPT2R

Numero parte MFG
RW1A020ZPT2R
quantità disponibile
17000 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.14384
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fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
- MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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RW1A020ZPT2R specificazioni

codice articolo del costruttore RW1A020ZPT2R
Numero di parte futuro FT-RW1A020ZPT2R
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
RW1A020ZPT2R Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
Vgs (massimo) ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 6V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-WEMT
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RW1A020ZPT2R Peso Contattaci
Numero parte di ricambio RW1A020ZPT2R-FT

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