casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RB530VM-30FHTE-17
codice articolo del costruttore | RB530VM-30FHTE-17 |
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Numero di parte futuro | FT-RB530VM-30FHTE-17 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RB530VM-30FHTE-17 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 10mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 10V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-90, SOD-323F |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMD2 |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB530VM-30FHTE-17 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB530VM-30FHTE-17-FT |
RSX501L-20TE25
Rohm Semiconductor
RB050L-40DDTE25
Rohm Semiconductor
RB055L-60DDTE25
Rohm Semiconductor
RB058L-40DDTE25
Rohm Semiconductor
RB058L-60DDTE25
Rohm Semiconductor
RB060L-40DDTE25
Rohm Semiconductor
RB068L-60DDTE25
Rohm Semiconductor
RB068L100DDTE25
Rohm Semiconductor
RBR1L30ATE25
Rohm Semiconductor
RBR3L30BTE25
Rohm Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel