casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RB058L-40DDTE25
codice articolo del costruttore | RB058L-40DDTE25 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-RB058L-40DDTE25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RB058L-40DDTE25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PMDS |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB058L-40DDTE25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB058L-40DDTE25-FT |
RB068MM-60TR
Rohm Semiconductor
RB070MM-30TFTR
Rohm Semiconductor
RB162MM-30TR
Rohm Semiconductor
RB162MM-40TR
Rohm Semiconductor
RB168MM-40TR
Rohm Semiconductor
RB168MM150TR
Rohm Semiconductor
RBR1MM40ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM30ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40ATR
Rohm Semiconductor
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel