casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RBR3L30BTE25
codice articolo del costruttore | RBR3L30BTE25 |
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Numero di parte futuro | FT-RBR3L30BTE25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RBR3L30BTE25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 530mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 80µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PMDS |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RBR3L30BTE25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RBR3L30BTE25-FT |
RBR1MM40ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM30ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40ATR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40BTFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40BTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60ATR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60BTFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60CTR
Rohm Semiconductor
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
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LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
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EP2SGX60EF1152C3N
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