casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RB068L-60DDTE25
codice articolo del costruttore | RB068L-60DDTE25 |
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Numero di parte futuro | FT-RB068L-60DDTE25 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
RB068L-60DDTE25 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | PMDS |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RB068L-60DDTE25 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RB068L-60DDTE25-FT |
RB162MM-40TR
Rohm Semiconductor
RB168MM-40TR
Rohm Semiconductor
RB168MM150TR
Rohm Semiconductor
RBR1MM40ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM30ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40ATFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40ATR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40BTFTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM40BTR
Rohm Semiconductor
RBR2MM60ATFTR
Rohm Semiconductor
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel