casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R9G22212CSOO
codice articolo del costruttore | R9G22212CSOO |
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Numero di parte futuro | FT-R9G22212CSOO |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R9G22212CSOO Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 2200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.3V @ 1500A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 75mA @ 2200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | DO-200AB, B-PUK |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-200AB, B-PUK |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R9G22212CSOO Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R9G22212CSOO-FT |
R6110825XXYZ
Powerex Inc.
R6110830XXYZ
Powerex Inc.
R6111025XXYZ
Powerex Inc.
R6111030XXYZ
Powerex Inc.
R7002603XXUA
Powerex Inc.
R7002803XXUA
Powerex Inc.
R7003003XXUA
Powerex Inc.
R7003203XXUA
Powerex Inc.
R7003403XXUA
Powerex Inc.
R7003603XXUA
Powerex Inc.
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel