casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6111025XXYZ
codice articolo del costruttore | R6111025XXYZ |
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Numero di parte futuro | FT-R6111025XXYZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6111025XXYZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 800A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 11µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 190°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6111025XXYZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6111025XXYZ-FT |
R3460
Microsemi Corporation
R3480
Microsemi Corporation
R3510
Microsemi Corporation
R35100
Microsemi Corporation
R35120
Microsemi Corporation
R35140
Microsemi Corporation
R35160
Microsemi Corporation
R3520
Microsemi Corporation
R3520PF
Microsemi Corporation
R3540
Microsemi Corporation
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel