casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6110825XXYZ
codice articolo del costruttore | R6110825XXYZ |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-R6110825XXYZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6110825XXYZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 800A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 11µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 190°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6110825XXYZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6110825XXYZ-FT |
R3420
Microsemi Corporation
R3440
Microsemi Corporation
R3460
Microsemi Corporation
R3480
Microsemi Corporation
R3510
Microsemi Corporation
R35100
Microsemi Corporation
R35120
Microsemi Corporation
R35140
Microsemi Corporation
R35160
Microsemi Corporation
R3520
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation