casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / R6110830XXYZ
codice articolo del costruttore | R6110830XXYZ |
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Numero di parte futuro | FT-R6110830XXYZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R6110830XXYZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 300A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 800A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 13µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50mA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AB, DO-9, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AB, DO-9 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 190°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6110830XXYZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R6110830XXYZ-FT |
R3440
Microsemi Corporation
R3460
Microsemi Corporation
R3480
Microsemi Corporation
R3510
Microsemi Corporation
R35100
Microsemi Corporation
R35120
Microsemi Corporation
R35140
Microsemi Corporation
R35160
Microsemi Corporation
R3520
Microsemi Corporation
R3520PF
Microsemi Corporation
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel