casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PSMN4R5-30YLC,115
codice articolo del costruttore | PSMN4R5-30YLC,115 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-PSMN4R5-30YLC,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN4R5-30YLC,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 84A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.95V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1324pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 61W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN4R5-30YLC,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN4R5-30YLC,115-FT |
BUK9Y41-80E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y43-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y4R4-40E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y4R8-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y53-100B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y58-75B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y59-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y72-80E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y7R2-60E,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y7R6-40E,115
Nexperia USA Inc.
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel