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codice articolo del costruttore | BUK9Y4R4-40E,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK9Y4R4-40E,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9Y4R4-40E,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26.8nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4077pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 147W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9Y4R4-40E,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK9Y4R4-40E,115-FT |
PSMN012-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R5-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y59-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y9R9-80EX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN5R8-40YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN8R3-40YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN9R1-30YL,115
Nexperia USA Inc.
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel