casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK9Y7R2-60E,115
codice articolo del costruttore | BUK9Y7R2-60E,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK9Y7R2-60E,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9Y7R2-60E,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5026pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 167W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9Y7R2-60E,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK9Y7R2-60E,115-FT |
PSMN2R0-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN5R8-40YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN8R3-40YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN9R1-30YL,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y08-40B,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y153-100EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y19-100EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y25-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y6R0-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y07-30B,115
Nexperia USA Inc.
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FG456C
Xilinx Inc.
A42MX09-VQ100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C50F672I8
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFXP6C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
Intel