casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK9Y43-60E,115
codice articolo del costruttore | BUK9Y43-60E,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK9Y43-60E,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9Y43-60E,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9Y43-60E,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK9Y43-60E,115-FT |
BUK9Y14-40B,115
Nexperia USA Inc.
PSMN012-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN2R5-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y59-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y9R9-80EX
Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN5R8-40YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN8R3-40YS,115
Nexperia USA Inc.
M2GL025-1FG484I
Microsemi Corporation
APA600-BG456M
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
A3P400-1FG256
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel
10CL080YF780C6G
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