casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PSMN013-100YSEX
codice articolo del costruttore | PSMN013-100YSEX |
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Numero di parte futuro | FT-PSMN013-100YSEX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PSMN013-100YSEX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 82A (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3775pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 238W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN013-100YSEX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PSMN013-100YSEX-FT |
BUK7Y2R5-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y35-55B,115
NXP USA Inc.
BUK7Y38-100EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y3R0-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y3R0-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y3R5-40HX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y43-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y53-100B,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y54-75B,115
NXP USA Inc.
BUK7Y72-80EX
Nexperia USA Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel