casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK7Y3R0-40HX
codice articolo del costruttore | BUK7Y3R0-40HX |
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Numero di parte futuro | FT-BUK7Y3R0-40HX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BUK7Y3R0-40HX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
Vgs (massimo) | +20V, -10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5449pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 172W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7Y3R0-40HX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK7Y3R0-40HX-FT |
PSMN041-80YLX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y19-75B,115
Nexperia USA Inc.
PSMN021-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN028-100YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R3-40YS,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y4R4-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y7R8-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y6R0-60E,115
Nexperia USA Inc.
PSMN013-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R2-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel