casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK7Y35-55B,115
codice articolo del costruttore | BUK7Y35-55B,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK7Y35-55B,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK7Y35-55B,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28.43A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 781pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7Y35-55B,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK7Y35-55B,115-FT |
PSMN102-200Y,115
Nexperia USA Inc.
PSMN014-40YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN020-100YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN041-80YLX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y19-75B,115
Nexperia USA Inc.
PSMN021-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN028-100YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN3R3-40YS,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y4R4-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y7R8-80EX
Nexperia USA Inc.
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation