casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK7Y72-80EX
codice articolo del costruttore | BUK7Y72-80EX |
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Numero di parte futuro | FT-BUK7Y72-80EX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK7Y72-80EX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 633pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 45W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7Y72-80EX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK7Y72-80EX-FT |
BUK7Y4R4-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y7R8-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK9Y6R0-60E,115
Nexperia USA Inc.
PSMN013-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R2-25YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R4-30YLDX
Nexperia USA Inc.
BUK7Y18-75B,115
Nexperia USA Inc.
BUK9Y104-100B,115
Nexperia USA Inc.
PSMN4R0-30YL,115
Nexperia USA Inc.
BUK7Y65-100EX
Nexperia USA Inc.
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel