casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / PQMH13Z
codice articolo del costruttore | PQMH13Z |
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Numero di parte futuro | FT-PQMH13Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PQMH13Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | 230MHz |
Potenza - Max | 230mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010B-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMH13Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PQMH13Z-FT |
NSM21156DW6T1G
ON Semiconductor
NSM21356DW6T1G
ON Semiconductor
NSM46211DW6T1G
ON Semiconductor
NSTB60BDW1T1
ON Semiconductor
NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
NSVUMC2NT1G
ON Semiconductor
UMC3NT1G
ON Semiconductor
NSVUMC5NT2G
ON Semiconductor
NSVUMC3NT1G
ON Semiconductor
NSVB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
XC4005E-2TQ144C
Xilinx Inc.
XCS30XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
XCKU025-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000L-FGG484M
Microsemi Corporation
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA5H3F35C2N
Intel
A40MX04-2PQG100
Microsemi Corporation