casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSM21356DW6T1G
ON Semiconductor NSM21356DW6T1G
- Numero parte MFG
- NSM21356DW6T1G
- quantità disponibile
- 76400 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- - TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- NSM21356DW6T1G.pdf
NSM21356DW6T1G specificazioni
| codice articolo del costruttore | NSM21356DW6T1G |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-NSM21356DW6T1G |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| NSM21356DW6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 65V |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 230mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NSM21356DW6T1G Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | NSM21356DW6T1G-FT |
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