casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSM21156DW6T1G
codice articolo del costruttore | NSM21156DW6T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSM21156DW6T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSM21156DW6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 65V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 230mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSM21156DW6T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSM21156DW6T1G-FT |
NSVMUN531335DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5237DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5135DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5232DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5333DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5233DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5311DW1T2G
ON Semiconductor
NSVMUN5332DW1T3G
ON Semiconductor
A54SX08-TQG144
Microsemi Corporation
XC2S30-5VQG100C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-3
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
XC5VLX30-2FF676C
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
5AGXMB1G6F31C6N
Intel
EP3C25F324C6N
Intel
EP20K100EQI240-3
Intel