casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / PQMD3Z
codice articolo del costruttore | PQMD3Z |
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Numero di parte futuro | FT-PQMD3Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PQMD3Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | 230MHz, 180MHz |
Potenza - Max | 230mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN1010B-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PQMD3Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PQMD3Z-FT |
MUN5334DW1T1G
ON Semiconductor
NSB13211DW6T1G
ON Semiconductor
NSM11156DW6T1G
ON Semiconductor
NSM21156DW6T1G
ON Semiconductor
NSM21356DW6T1G
ON Semiconductor
NSM46211DW6T1G
ON Semiconductor
NSTB60BDW1T1
ON Semiconductor
NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor
NSVUMC2NT1G
ON Semiconductor
UMC3NT1G
ON Semiconductor
LCMXO2-2000HE-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE3000L-FG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1FG256
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F27C5N
Intel
5SGXEABN3F45C2L
Intel
5SGXEA7K2F35I3LN
Intel
EP3SE110F1152I4LN
Intel
LFE2M50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4
Intel
EP1K100QC208-3N
Intel