casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMN52XPX
codice articolo del costruttore | PMN52XPX |
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Numero di parte futuro | FT-PMN52XPX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMN52XPX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 763pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 530mW (Ta), 4.46W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMN52XPX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMN52XPX-FT |
SN7002NH6433XTMA1
Infineon Technologies
SN7002NL6433HTMA1
Infineon Technologies
SQ2301ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ2309ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ2319ES-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2325ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ2360EES-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2361EES-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2364EES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ2398ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation