casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / SQ2325ES-T1_GE3
codice articolo del costruttore | SQ2325ES-T1_GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQ2325ES-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQ2325ES-T1_GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 840mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.77 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236 (SOT-23) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ2325ES-T1_GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQ2325ES-T1_GE3-FT |
BSS316NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS316NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS670S2L
Infineon Technologies
BSS670S2LL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS7728N
Infineon Technologies
BSS7728NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS7728NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS806NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS83PE6327
Infineon Technologies
BSS83PH6327XTSA1
Infineon Technologies
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel