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codice articolo del costruttore | SQ2361EES-T1-GE3 |
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Numero di parte futuro | FT-SQ2361EES-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SQ2361EES-T1-GE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 545pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ2361EES-T1-GE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SQ2361EES-T1-GE3-FT |
BSS670S2L
Infineon Technologies
BSS670S2LL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS7728N
Infineon Technologies
BSS7728NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS7728NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS806NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS83PE6327
Infineon Technologies
BSS83PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS83PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS84P E6433
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel