casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / PMN50XP,165
codice articolo del costruttore | PMN50XP,165 |
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Numero di parte futuro | FT-PMN50XP,165 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
PMN50XP,165 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.2W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMN50XP,165 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMN50XP,165-FT |
SN7002NH6327XTSA1
Infineon Technologies
SN7002NH6433XTMA1
Infineon Technologies
SN7002NL6433HTMA1
Infineon Technologies
SQ2301ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ2309ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ2319ES-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2325ES-T1_GE3
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SQ2360EES-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2361EES-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ2364EES-T1_GE3
Vishay Siliconix
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
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XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
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EP2AGX65CU17C4G
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5AGXFB1H4F35C4N
Intel