casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / PMEG2005CT,215
codice articolo del costruttore | PMEG2005CT,215 |
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Numero di parte futuro | FT-PMEG2005CT,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMEG2005CT,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 390mV @ 500mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 22ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG2005CT,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMEG2005CT,215-FT |
BYV34-600,127
WeEn Semiconductors
BYV410-600,127
WeEn Semiconductors
BYV42E-200,127
WeEn Semiconductors
NXPS20H100C,127
WeEn Semiconductors
NXPS20H110C,127
WeEn Semiconductors
NXPS20S100C,127
WeEn Semiconductors
BYV32EB-200,118
WeEn Semiconductors
BYV42EB-200,118
WeEn Semiconductors
BAT54XY,115
Nexperia USA Inc.
BAV99S,115
Nexperia USA Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel