casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BYV32EB-200,118
codice articolo del costruttore | BYV32EB-200,118 |
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Numero di parte futuro | FT-BYV32EB-200,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV32EB-200,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV32EB-200,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYV32EB-200,118-FT |
RF1001T2D
Rohm Semiconductor
RB095T-90
Rohm Semiconductor
RB095T-40
Rohm Semiconductor
RF601T2D
Rohm Semiconductor
RB205T-40
Rohm Semiconductor
RB225T-40
Rohm Semiconductor
RB095T-60
Rohm Semiconductor
RB205T-90
Rohm Semiconductor
RB225T100
Rohm Semiconductor
RB238T100
Rohm Semiconductor
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
5SGSMD4E3H29C2N
Intel
10M40SCE144A7G
Intel
XC4044XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S3F45E2LG
Intel