casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BYV32EB-200,118
codice articolo del costruttore | BYV32EB-200,118 |
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Numero di parte futuro | FT-BYV32EB-200,118 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV32EB-200,118 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV32EB-200,118 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYV32EB-200,118-FT |
RF1001T2D
Rohm Semiconductor
RB095T-90
Rohm Semiconductor
RB095T-40
Rohm Semiconductor
RF601T2D
Rohm Semiconductor
RB205T-40
Rohm Semiconductor
RB225T-40
Rohm Semiconductor
RB095T-60
Rohm Semiconductor
RB205T-90
Rohm Semiconductor
RB225T100
Rohm Semiconductor
RB238T100
Rohm Semiconductor
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel