casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BYV410-600,127
codice articolo del costruttore | BYV410-600,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BYV410-600,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BYV410-600,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV410-600,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYV410-600,127-FT |
RF2001T3D
Rohm Semiconductor
RFN10T2D
Rohm Semiconductor
RF1601T2D
Rohm Semiconductor
RB088T150FH
Rohm Semiconductor
RB085T-60
Rohm Semiconductor
RF1001T2D
Rohm Semiconductor
RB095T-90
Rohm Semiconductor
RB095T-40
Rohm Semiconductor
RF601T2D
Rohm Semiconductor
RB205T-40
Rohm Semiconductor
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel