casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAV99S,115
codice articolo del costruttore | BAV99S,115 |
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Numero di parte futuro | FT-BAV99S,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV99S,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Pair Series Connection |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99S,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAV99S,115-FT |
RF601T2D
Rohm Semiconductor
RB205T-40
Rohm Semiconductor
RB225T-40
Rohm Semiconductor
RB095T-60
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RB205T-90
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RB225T100
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RB238T100
Rohm Semiconductor
RF2001T2D
Rohm Semiconductor
RSX1001T3
Rohm Semiconductor
PD411611
Powerex Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel