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NXP USA Inc. PHD18NQ10T,118

Name: PHD18NQ10T,118
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHD18NQ10T,118
Availability: InStock
Rating: 4.6 (713 reviews)

Numero parte MFG: PHD18NQ10T,118

quantità disponibile: 43040 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: NXP USA Inc.

Breve descrizione: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: PHD18NQ10T,118.pdf

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PHD18NQ10T,118 specificazioni

codice articolo del costruttore	PHD18NQ10T,118
Numero di parte futuro	FT-PHD18NQ10T,118
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
PHD18NQ10T,118 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	633pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	79W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHD18NQ10T,118 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	PHD18NQ10T,118-FT

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