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NXP USA Inc. BUK9E1R6-30E,127

Name: BUK9E1R6-30E,127
Brand: NXP USA Inc.
SKU: BUK9E1R6-30E,127
Availability: InStock
Rating: 4.8 (189 reviews)

Numero parte MFG: BUK9E1R6-30E,127

quantità disponibile: 35310 pezzi

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fabbricante: NXP USA Inc.

Breve descrizione: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: BUK9E1R6-30E,127.pdf

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BUK9E1R6-30E,127 specificazioni

codice articolo del costruttore	BUK9E1R6-30E,127
Numero di parte futuro	FT-BUK9E1R6-30E,127
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchMOS™
BUK9E1R6-30E,127 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	113nC @ 5V
Vgs (massimo)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	16150pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	349W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I2PAK
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BUK9E1R6-30E,127 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	BUK9E1R6-30E,127-FT

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