casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / BUK9E15-60E,127
codice articolo del costruttore | BUK9E15-60E,127 |
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Numero di parte futuro | FT-BUK9E15-60E,127 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchMOS™ |
BUK9E15-60E,127 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 54A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2651pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 96W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9E15-60E,127 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BUK9E15-60E,127-FT |
PSMN013-100XS,127
NXP USA Inc.
PSMN016-100XS,127
NXP USA Inc.
PSMN3R9-60XSQ
NXP USA Inc.
PSMN4R6-100XS,127
NXP USA Inc.
PSMN5R0-100XS,127
NXP USA Inc.
PSMN5R6-100XS,127
NXP USA Inc.
PSMN7R0-100XS,127
NXP USA Inc.
PSMN7R6-60XSQ
NXP USA Inc.
PSMN8R5-100XSQ
NXP USA Inc.
PSMN9R5-100XS,127
NXP USA Inc.
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel