casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / PEMX1,115
codice articolo del costruttore | PEMX1,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PEMX1,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PEMX1,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-666 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMX1,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PEMX1,115-FT |
NST3946DXV6T1
ON Semiconductor
NST3946DXV6T5
ON Semiconductor
HN3A51F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN3C51F-BL(TE85L,F
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HN3C51F-GR(TE85L,F
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MBT3904DW1T3G
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SBC846BPDW1T1G
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