casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / HN3A51F(TE85L,F)
codice articolo del costruttore | HN3A51F(TE85L,F) |
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Numero di parte futuro | FT-HN3A51F(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HN3A51F(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SM6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HN3A51F(TE85L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HN3A51F(TE85L,F)-FT |
UP0459800L
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UP0459900L
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