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Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR(TE85L,F

Name: HN3C51F-GR(TE85L,F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN3C51F-GR(TE85L,F
Availability: InStock
Rating: 4.7 (307 reviews)

Numero parte MFG: HN3C51F-GR(TE85L,F

quantità disponibile: 30720 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: - TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - Bipolar (BJT) - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: HN3C51F-GR(TE85L,F.pdf

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HN3C51F-GR(TE85L,F specificazioni

codice articolo del costruttore	HN3C51F-GR(TE85L,F
Numero di parte futuro	FT-HN3C51F-GR(TE85L,F
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
HN3C51F-GR(TE85L,F Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Transistor Type	2 NPN (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Potenza - Max	300mW
Frequenza - Transizione	100MHz
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitore	SM6
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HN3C51F-GR(TE85L,F Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	HN3C51F-GR(TE85L,F-FT

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