casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / UMZ1NT1G
codice articolo del costruttore | UMZ1NT1G |
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Numero di parte futuro | FT-UMZ1NT1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UMZ1NT1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 2µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Potenza - Max | 250mW |
Frequenza - Transizione | 114MHz, 142MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UMZ1NT1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UMZ1NT1G-FT |
DME50C010R
Panasonic Electronic Components
DMA501010R
Panasonic Electronic Components
DMC501010R
Panasonic Electronic Components
DME50B010R
Panasonic Electronic Components
DMC201010R
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DMA201010R
Panasonic Electronic Components
DMA202010R
Panasonic Electronic Components
DME201010R
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DME20B010R
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DMC201A00R
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M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A3P125-2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C20F484C7N
Intel
10CL016ZE144I8G
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5SGSED8N3F45I4N
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XC4013XL-3BG256C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C7
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EP4SGX230HF35I4
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5SGSMD3H2F35I3LN
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