casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / PEMD24,115
codice articolo del costruttore | PEMD24,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PEMD24,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PEMD24,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-666 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMD24,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PEMD24,115-FT |
NSVMUN5211DW1T2G
ON Semiconductor
NSVMUN5213DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5233DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5312DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN531335DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5334DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5112DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5116DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5211DW1T1G
ON Semiconductor
XC2S100E-6TQ144C
Xilinx Inc.
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
EP4SGX530HH35C3ES
Intel
XC5VLX30T-1FFG665C
Xilinx Inc.
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C7U19C8N
Intel
10AX115S3F45E2SG
Intel
EP1S40F780C5N
Intel