casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSVMUN531335DW1T3G
codice articolo del costruttore | NSVMUN531335DW1T3G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVMUN531335DW1T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NSVMUN531335DW1T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms, 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms, 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 385mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVMUN531335DW1T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVMUN531335DW1T3G-FT |
EMA6DXV5T1G
ON Semiconductor
EMA6DXV5T5G
ON Semiconductor
EMC2DXV5T1
ON Semiconductor
EMC5DXV5T1
ON Semiconductor
EMG2DXV5T1
ON Semiconductor
EMG2DXV5T1G
ON Semiconductor
EMG2DXV5T5
ON Semiconductor
NSTB1002DXV5T1
ON Semiconductor
NSTB1003DXV5T1G
ON Semiconductor
NSTB1004DXV5T1G
ON Semiconductor
XCKU5P-3FFVA676E
Xilinx Inc.
EP2C50U484C7N
Intel
EP3C55F484C8
Intel
5SGXMA4K1F35C1N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156E
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I3N
Intel
EPF6016AFC100-2
Intel