casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / PBSS5255PAPSX
codice articolo del costruttore | PBSS5255PAPSX |
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Numero di parte futuro | FT-PBSS5255PAPSX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PBSS5255PAPSX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 55V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 200mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 370mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFN2020D-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS5255PAPSX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS5255PAPSX-FT |
NST45010MW6T1G
ON Semiconductor
SMBT3906DW1T1G
ON Semiconductor
SMBT3946DW1T1G
ON Semiconductor
MBT2222ADW1T1G
ON Semiconductor
NST65010MW6T1G
ON Semiconductor
SBC846BDW1T1G
ON Semiconductor
SSVBC846BPDW1T1G
ON Semiconductor
NST65011MW6T1G
ON Semiconductor
NSVT65010MW6T1G
ON Semiconductor
NSVT65011MW6T1G
ON Semiconductor
A40MX02-VQG80I
Microsemi Corporation
APA1000-FG896M
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FGG484
Microsemi Corporation
EP1K30FC256-2
Intel
5SGSED8N2F45I2
Intel
EP3SE80F1152C4LN
Intel
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
A3P600L-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation