casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / PBSS3515VS,115
codice articolo del costruttore | PBSS3515VS,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PBSS3515VS,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBSS3515VS,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 100mA, 2V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 280MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-666 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS3515VS,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS3515VS,115-FT |
NST3906DXV6T1
ON Semiconductor
NST3946DXV6T1
ON Semiconductor
NST3946DXV6T5
ON Semiconductor
HN3A51F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN3C51F-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN3C51F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
MBT3904DW1T3G
ON Semiconductor
MBT3906DW1T2G
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UMZ1NT1G
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SBC846BPDW1T1G
ON Semiconductor